Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої становлять напівпровідникові прилади. Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої становлять напівпровідникові прилади.

Для виготовлення електронних приладів використовують тверді напівпровідники з кристалічною будовою. Для виготовлення електронних приладів використовують тверді напівпровідники з кристалічною будовою. Напівпровідникові прилади називаються прилади, дія яких заснована на використанні властивостей напівпровідникових матеріалів.

Напівпровідникові діоди Це напівпровідниковий прилад з одним p-n-переходом та двома висновками, робота якого заснована на властивостях p-n – переходу. Основним властивістю p-n- Переходу є одностороння провідність - струм протікає тільки в один бік. Умовно-графічне позначення (УДО) діода має форму стрілки, яка вказує напрямок протікання струму через прилад. Конструктивно діод складається з p-n-переходу, укладеного в корпус (за винятком безкорпусних мікромодульних) і двох висновків: від p-області – анод, від n-області – катод. Тобто. діод - це напівпровідниковий прилад, що пропускає струм лише в одному напрямку - від анода до катода. Залежність струму через прилад від напруги називається вольт-амперною характеристикою (ВАХ) приладу I=f(U).

Транзистори Транзистор - це напівпровідниковий прилад, призначений для посилення, генерування та перетворення електричних сигналів, а також комутації електричних ланцюгів. Відмінною особливістютранзистора є здатність посилювати напругу і струм - діючі на вході транзистора напруги і струми призводять до появи з його виході напруг і струмів значно більшої величини. Свою назву транзистор отримав від скорочення двох англійських слів tran(sfer) (re)sistor – керований резистор. Транзистор дозволяє регулювати струм від нуля до максимального значення.

Класифікація транзисторів: - за принципом дії: польові (уніполярні), біполярні, комбіновані. - За значенням розсіюється потужності: малої, середньої та великої. - за значенням граничної частоти: низько-, середньо-, високо- та надвисокочастотні. - за значенням робочої напруги: низько- та високовольтні. - за функціональним призначенням: універсальні, підсилювальні, ключові та ін. - за конструктивним виконанням: безкорпусні та в корпусному виконанні, з жорсткими та гнучкими висновками.

Залежно від виконуваних функцій транзистори можуть працювати у трьох режимах: Залежно від виконуваних функцій транзистори можуть у трьох режимах: 1) Активний режим - використовується посилення електричних сигналів в аналогових пристроях. Опір транзистора змінюється від нуля до максимального значення - кажуть транзистор «відкривається» або «підзакривається». 2) Режим насичення - опір транзистора прагне нулю. При цьому транзистор еквівалентний замкненому контакту реле. 3) Режим відсічки - транзистор закритий і має високий опір, тобто. він еквівалентний розімкнутому контакту реле. Режими насичення та відсічення використовуються в цифрових, імпульсних та комутаційних схемах.

Індикатор Електронний індикатор - це електронний показуючий пристрій, призначений для візуального контролю за подіями, процесами та сигналами. Електронні індикатори встановлюється в різне побутове та промислове обладнання для інформування людини про рівень або значення різних параметрів, наприклад, напруги, струму, температури, заряд батареї і т.д. Часто електронним індикатором помилково називають механічний індикатор із електронною шкалою.

Робота може використовуватися для проведення уроків та доповідей з предмету "Фізика"

Наші готові презентації з фізики роблять складні теми уроку простими, цікавими та легкозасвоюваними. Більшість дослідів, що вивчаються на уроках фізики, неможливо провести у звичайних шкільних умовах, показати такі досліди можна за допомогою презентацій з фізики. даному розділісайту Ви можете завантажити готові презентації з фізики для 7,8,9,10,11 класу, а також презентації-лекції та презентації-семінари з фізики для студентів.

Слайд 2

Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої складають напівпровідникові прилади.

Слайд 3

Основними матеріалами для напівпровідникових приладів є: кремній (Si), карбід кремнію (SiС), сполуки галію та індія.

Слайд 4

Для виготовлення електронних приладів використовують тверді напівпровідники з кристалічною будовою. Напівпровідникові прилади називаються прилади, дія яких заснована на використанні властивостей напівпровідникових матеріалів.

Слайд 5

Напівпровідникові діоди

Це напівпровідниковий прилад з одним p-n-переходом та двома висновками, робота якого заснована на властивостях p-n – переходу. Основною властивістю p-n – переходу є одностороння провідність – струм протікає лише в одну сторону. Умовно-графічне позначення (УДО) діода має форму стрілки, яка вказує напрямок протікання струму через прилад. Конструктивно діод складається з p-n-переходу, укладеного в корпус (за винятком мікромодульних безкорпусних) та двох висновків: від p-області – анод, від n-області – катод. Тобто. діод – це напівпровідниковий прилад, що пропускає струм лише в одному напрямку – від анода до катода. Залежність струму через прилад від напруги називається вольт-амперною характеристикою (ВАХ) приладу I=f(U).

Слайд 6

Транзистори

Транзистор - це напівпровідниковий пристрій, призначений для посилення, генерування та перетворення електричних сигналів, а також комутації електричних ланцюгів. Відмінною особливістю транзистора є здатність посилювати напругу і струм - діючі на вході транзистора напруги та струми призводять до появи на його виході напруги та струмів значно більшої величини. Свою назву транзистор отримав від скорочення двох англійських слів tran(sfer) (re)sistor – керований резистор. Транзистор дозволяє регулювати струм від нуля до максимального значення.

Слайд 7

Класифікація транзисторів: за принципом дії: польові (уніполярні), біполярні, комбіновані. - За значенням розсіюється потужності: малої, середньої та великої. - за значенням граничної частоти: низько-, середньо-, високо- та надвисокочастотні. - за значенням робочої напруги: низько- та високовольтні. - за функціональним призначенням: універсальні, підсилювальні, ключові та ін. - за конструктивним виконанням: безкорпусні та в корпусному виконанні, з жорсткими та гнучкими висновками.

Слайд 8

Залежно від виконуваних функцій транзистори можуть працювати трьох режимах: 1) Активний режим - використовується посилення електричних сигналів в аналогових пристроях. Опір транзистора змінюється від нуля до максимального значення - кажуть транзистор «відкривається» або «підзакривається». 2) Режим насичення - опір транзистора прагне нулю. При цьому транзистор еквівалентний замкненому контакту реле. 3) Режим відсічки - транзистор закритий і має високий опір, тобто. він еквівалентний розімкнутому контакту реле. Режими насичення та відсічення використовуються в цифрових, імпульсних та комутаційних схемах.

Слайд 9

Індикатор

Електронний індикатор — це електронний показуючий пристрій, призначений для візуального контролю за подіями, процесами та сигналами. Електронні індикатори встановлюється в різне побутове та промислове обладнання для інформування людини про рівень або значення різних параметрів, наприклад, напруги, струму, температури, заряд батареї і т.д. Часто електронним індикатором помилково називають механічний індикатор із електронною шкалою.

Переглянути всі слайди

1 із 9

Презентація на тему:напівпровідникові прилади

№ слайду 1

Опис слайду:

№ слайду 2

Опис слайду:

Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої становлять напівпровідникові прилади. Стрімкий розвиток і розширення областей застосування електронних пристроїв обумовлено вдосконаленням елементної бази, основу якої складають напівпровідникові прилади.

№ слайду 3

Опис слайду:

№ слайда 4

Опис слайду:

№ слайду 5

Опис слайду:

Напівпровідникові діоди Це напівпровідниковий прилад з одним p-n-переходом та двома висновками, робота якого заснована на властивостях p-n – переходу. Основною властивістю p-n – переходу є одностороння провідність – струм протікає лише одну сторону. Умовно-графічне позначення (УДО) діода має форму стрілки, яка вказує напрямок протікання струму через прилад. Конструктивно діод складається з p-n-переходу, укладеного в корпус (за винятком безкорпусних мікромодульних) і двох висновків: від p-області – анод, від n-області – катод. Тобто. діод - це напівпровідниковий прилад, що пропускає струм лише в одному напрямку - від анода до катода. Залежність струму через прилад від напруги називається вольт-амперною характеристикою (ВАХ) приладу I=f(U).

№ слайду 6

Опис слайду:

Транзистори Транзистор це напівпровідниковий прилад, призначений для посилення, генерування та перетворення електричних сигналів, а також комутації електричних кіл. Відмінною особливістю транзистора є здатність посилювати напругу і струм - діючі на вході транзистора напруги та струми призводять до появи на його виході напруги та струмів значно більшої величини. Свою назву транзистор отримав від скорочення двох англійських слів tran(sfer) (re)sistor – керований резистор. Транзистор дозволяє регулювати струм від нуля до максимального значення.

№ слайду 7

Опис слайду:

№ слайду 8

Опис слайду:

№ слайду 9

Опис слайду:

Напівпровідникові діоди Це напівпровідниковий прилад з одним p-n-переходом та двома висновками, робота якого заснована на властивостях p-n-переходу. Основною властивістю p-n – переходу є одностороння провідність – струм протікає лише одну сторону. Умовно - графічне позначення (УДО) діода має форму стрілки, яка вказує напрямок протікання струму через прилад. Конструктивно діод складається з p-n-переходу, укладеного в корпус (за винятком мікромодульних безкорпусних) і двох висновків: від p-області - анод, від n-області - катод. Т. е. діод - це напівпровідниковий прилад, що пропускає струм тільки в одному напрямку - від анода до катода. Залежність струму через прилад від напруги називається вольт - амперною характеристикою (ВАХ) приладу I=f(U).

Класифікація транзисторів: за принципом дії: польові (уніполярні), біполярні, комбіновані. - за значенням розсіюваної потужності: малої, середньої та великої. - за значенням граничної частоти: низько-, середньо-, високо- та надвисокочастотні. - за значенням робочої напруги: низько- та високовольтні. - за функціональним призначенням: універсальні, підсилювальні, ключові та ін. - за конструктивним виконанням: безкорпусні та в корпусному виконанні, з жорсткими та гнучкими висновками.

Залежно від виконуваних функцій транзистори можуть працювати трьох режимах: 1) Активний режим - використовується посилення електричних сигналів в аналогових пристроях. Опір транзистора змінюється від нуля до максимального значення - говорять транзистор «відкривається» або «під закривається». 2) Режим насичення - опір транзистора прагне нулю. При цьому транзистор еквівалентний замкненому контакту реле. 3) Режим відсічки - транзистор закритий і має високий опір, т. е. він еквівалентний розімкнутому контакту реле. Режими насичення та відсічення використовуються в цифрових, імпульсних та комутаційних схемах.

Індикатор Електронний індикатор це електронний пристрій, що показує візуальний контроль за подіями, процесами та сигналами. Електронні індикатори встановлюється в різне побутове та промислове обладнання для інформування людини про рівень або значення різних параметрів, наприклад, напруги, струму, температури, заряд батареї і т. д. Часто електронним індикатором помилково називають механічний індикатор з електронною шкалою. електронний показуючий пристрій механічний індикатор

Cлайд 1

Класифікація та позначення напівпровідникових приладів Виконано: Тепліков І. Сенюков Є.

Cлайд 2

При використанні напівпровідникових приладів в електронних пристроївдля уніфікації їх позначення та стандартизації параметрів використовуються системи умовних позначень. Ця система класифікує напівпровідникові прилади за їх призначенням, основними фізичними та електричними параметрами, конструктивно-технологічними властивостями, видом напівпровідникових матеріалів. Система умовних позначень вітчизняних напівпровідникових приладів базується на державних та галузевих стандартах. Перший ГОСТ на систему позначень напівпровідникових приладів ГОСТ 10862-64 було запроваджено 1964 року. Потім у міру виникнення нових класифікаційних груп приладів було змінено на ГОСТ 10862-72, а потім на галузевий стандарт ОСТ 11.336.038-77 та ОСТ 11.336.919-81 відповідно у 1972, 1977, 1981 роках. При цій модифікації основні елементи цифробуквенного коду системи умовних позначень збереглися. Ця система позначень логічно побудована і дозволяє нарощувати у міру подальшого розвитку елементної бази. Основні терміни, визначення та літерні позначення основних та довідкових параметрів напівпровідникових приладів наведені у наступних гостах: 25529-82 – Діоди напівпровідникові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; 19095-73 - Транзистори польові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; 20003-74 - Транзистори біполярні. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів; 20332-84 – Тиристори. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів.

Cлайд 3

Умовні позначення та класифікація вітчизняних напівпровідникових приладів Система позначень сучасних напівпровідникових діодів, тиристорів та оптоелектронних приладів встановлена галузевим стандартом ОСТ 11 336.919-81 та базується на низці класифікаційних ознак цих приладів. В основу системи позначень покладено буквено-цифровий код, який складається з 5 елементів.

Cлайд 4

Перший елемент Перший елемент (літера або цифра) означає вихідний напівпровідниковий матеріал, на базі якого створено напівпровідниковий прилад. Для приладів загальноцивільного застосування використовуються літери, що є початковими літерами в назві напівпровідника або напівпровідникового з'єднання. Для приладів спеціального застосуваннязамість цих літер використовуються цифри. Початковий матеріал Умовні позначення Німеччин або його сполуки Г або 1 Кремній або його сполуки До або 2 З'єднання галію (наприклад, арсенід галію) А або 3 З'єднання індію (наприклад, фосфід індію) І або 4

Cлайд 5

Другий елемент - підклас напівпровідникових приладів. Зазвичай буква вибирається з назви приладу, як перша літера назви Підклас приладів Умовні позначення Підклас приладів Умовні позначення Випрямні, універсальні, імпульсні діоди Д Стабілітрони З Транзистори біполярні Т Випрямні стовпи Ц Транзистори польові діоди А Тиристори тріодні У Випромінюючі ОЕ прилади Л Тунельні діоди І Оптопари Про

Cлайд 6

Третій елемент. Третій елемент (цифра) у позначенні напівпровідникових приладів визначає основні функціональні можливостіприладу. У різних підкласів приладів найхарактерніші експлуатаційні параметри (функціональні можливості) різні. Для транзисторів – це робоча частота і розсіювана потужність, для випрямних діодів – максимальне значення прямого струму, для стабілітронів – напруга стабілізації та розсіювана потужність, для тиристорів – значення струму у відкритому стані.

Cлайд 7

Четвертий елемент. Четвертий елемент (2 чи 3 цифри) означає порядковий номер технологічної розробки та змінюється від 01 до 999.

Cлайд 8

П'ятий елемент. П'ятий елемент (літера) в буквенно-цифровому коді системи умовних позначень вказує на розбракування за окремими параметрами приладів, виготовлених в єдиній технології. Для позначення застосовуються великі літери російського алфавіту від А до Я, крім З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих на написання з цифрами.

Cлайд 9

Умовні позначення та класифікація зарубіжних напівпровідникових приладів За кордоном існують різні системипозначень напівпровідникових приладів. Найбільш поширеною є система позначень JEDEC, прийнята об'єднаною технічною радою з електронних приладів США. За цією системою прилади позначаються індексом (кодом, маркуванням), у якому перша цифра відповідає числу p-n переходів: 1 – діод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрою слідує буква N та серійний номер, який реєструється асоціацією підприємств електронної промисловості (EIA). За номером можуть стояти одна або кілька літер, які вказують на розбивку приладів одного типу на типономінали за різними параметрами чи характеристиками. Однак цифри серійного номеране визначають тип вихідного матеріалу, Частотний діапазон, потужність розсіювання або сфера застосування. У Європі використовується система, за якою позначення напівпровідникових приладів присвоюються організацією Association International Pro Electron. За цією системою прилади для побутової апаратури широкого застосування позначаються двома літерами та трьома цифрами. Так, у приладів широкого застосування після двох літер стоїть тризначний порядковий номер від 100 до 999. У приладів, що застосовуються у промисловій та спеціальній апаратурі, третій знак – буква (літери використовуються у зворотному алфавітному порядку: Z, Y, X тощо). ), за якою слідує порядковий номер від 10 до 99.

Cлайд 10

Cлайд 11

Перший елемент. Перший елемент (літера) означає вихідний напівпровідниковий матеріал, з урахуванням якого створено напівпровідниковий прилад. Використовуються 4 латинські літери A, B, C і D відповідно до виду напівпровідника або напівпровідникового з'єднання. Вихідний матеріал Ширина забороненої зони, еВ Умовні позначення Німеччина 0,6…1 А Кремній 1…1,3 В Арсенід галію більше 1,3 С Антимонід індію менше 1,6 D

Cлайд 12

Другий елемент (літера) означає підклас напівпровідникових приладів. Третій елемент (цифра або буква) позначає у буквенно-цифровому коді напівпровідникові прилади, призначені для апаратури загальноцивільного застосування (цифра) або апаратури спеціального застосування (літера). Як літера в останньому випадку використовуються великі латинські літери, що витрачаються у зворотному порядку Z, Y, X і т.п. Четвертий елемент (2 цифри) означає порядковий номер технологічної розробки та змінюється від 01 до 99. Наприклад, ВТХ10-200 – це кремнієвий керований випрямляч (тиристор) спеціального призначенняз реєстраційним номером 10 та напругою 200 В.

Cлайд 13

стандарт JIS-C-7012 Система стандартних позначень, розроблена в Японії (стандарт JIS-C-7012, прийнятий асоціацією EIAJ-Electronic Industries Association of Japan), дозволяє визначити клас напівпровідникового приладу (діод або транзистор), його призначення, тип провідності напівпровідника. Вигляд напівпровідникового матеріалу в японській системі не відображається. Умовне позначення напівпровідникових приладів за стандартом JIS-C-7012 складається із п'яти елементів. Перший елемент. Перший елемент (цифра) означає тип напівпровідникового приладу. Використовуються 3 цифри (0, 1, 2 та 3) відповідно до типу приладу. Другий елемент. Другий елемент позначається літерою S і вказує на те, що цей прилад напівпровідниковий. Літера S використовується як початкова літера від слова Semiconductor. Третій елемент. Третій елемент (літера) означає підклас напівпровідникових приладів. Нижче в таблиці наведено літери, які використовуються для позначення підкласів Четвертий елемент. Четвертий елемент означає реєстраційний номер технологічної розробки і починається з числа 11. П'ятий елемент. П'ятий елемент відображає модифікацію розробки (А та В – перша та друга модифікація).

Cлайд 14

JEDEC Система позначень JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), прийнята об'єднаною технічною радою з електронних приладів США. За цією системою прилади позначаються індексом (кодом, маркуванням), у якому: Перший елемент. Перший елемент (цифра) означає число p-nпереходів. Використовуються 4 цифри (1, 2, 3 та 4) відповідно до типу приладу: 1 – діод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара. Другий елемент. Другий елемент складається з літери N та серійного номера, що реєструється асоціацією підприємств електронної промисловості (EIA). Цифри серійного номера не визначають тип вихідного матеріалу, частотний діапазон, потужність розсіювання та сферу застосування. Третій елемент. Третій елемент - одна або кілька літер, що вказують на розбивку приладів одного типу на типономінали по різним характеристикам. Фірма-виробник, прилади якої за своїми параметрами подібні до приладів, зареєстрованих EIA, може представляти свої прилади з позначенням, прийнятим за системою JEDEC. Приклад: 2N2221A, 2N904.

Cлайд 15

Графічні позначення та стандарти У технічній документації та спеціальній літературі застосовуються умовні графічні позначення напівпровідникових приладів відповідно до ГОСТ 2.730-73 «Позначення умовні, графічні у схемах. Прилади напівпровідникові.

Cлайд 16

Cлайд 17

Cлайд 18

Cлайд 19

Cлайд 20

Cлайд 21

Cлайд 22

Cлайд 23

Cлайд 24

Cлайд 25

Cлайд 26

Cлайд 30

Тріодний, що замикається у зворотному напрямку, вимикається, з керуванням по Катоду Аноду

Cлайд 31

Умовні позначення електричних параметрів та порівняльні довідкові дані напівпровідникових приладів Для напівпровідникових приладів визначено та стандартизовано значення основних електричних параметрів та граничні експлуатаційні характеристики, що наводяться у довідниках. До таких параметрів відносяться: напруга (наприклад, Uпр – постійна пряма напруга діода), струм (наприклад, Iст, max – максимально допустимий струм у стабілізації стабілітрону, потужність (наприклад, Pвих – вихідна потужність) біполярного транзистора), опір (наприклад, rдиф - диференціальний опір діода), ємність (наприклад, Cк - ємність колекторного переходу), час і частота (наприклад, tвос, обр - час зворотного відновлення тиристора, діода), температура (наприклад, Tmax - максимальна температура довкілля). Число значень основних електричних параметрів обчислюється сотнями, причому для кожного підкласу напівпровідникових приладів ці параметри будуть різними. У довідкових виданнях наводяться значення основних електричних параметрів та граничні експлуатаційні характеристики напівпровідникових приладів. Нижче приклад наведено ці дані для типових представників різних типівприладів.

Cлайд 32

Приклади позначення деяких транзисторів: КТ604А - кремнієвий біполярний, середньої потужності, низькочастотний, номер розробки 04, група А 2Т920 - кремнієвий біполярний, великої потужності, високочастотний, номер розробки 37, група А 2ПС202А-2 польових транзисторів середньої частоти, номер розробки 02, група А, безкорпусний, з гнучкими висновками на кристалотримачі. 2Д921А - кремнієвий імпульсний діод з ефективним часом життя неосновних носіїв заряду менше 1нс, номер розробки 21, група А 3І203Г - арсенідогаллієвий генераторний діод, номер розробки 3, група Г АД103Б - арсен , Група Б.

Cлайд 33

Основні ДСТУ: ГОСТ 15133-77 Прилади напівпровідникові. Терміни та визначення ОСТ 11 336,919 -81 Прилади напівпровідникові. Система умовних позначень. ГОСТ 2,730-73 Позначення умовні графічні у схемах. Прилади напівпровідникові ДЕРЖСТАНДАРТ 18472-82 Прилади напівпровідникові. Основні розміри ГОСТ 20003-74 Транзистори біполярні. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів. ДЕРЖСТАНДАРТ 19095 - 73 Транзистори польові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів. ГОСТ 23448 - 79 Прилади напівпровідникові інфрачервоні випромінюючі. Основні розміри. ДЕРЖСТАНДАРТ 25529-82 Діоди напівпровідникові. Терміни, визначення та літерні позначення параметрів.